Plaquette de substrat semi-insultante en carbure de silicium, 3 pouces, 76.2mm, 4H-Semi SiC

Les plaquettes de substrat SiC (carbure de silicium) semi-isolées 4H de 3 pouces sont un matériau semi-conducteur couramment utilisé. 4H indique une structure cristalline tétrahexaédrique. La semi-isolation signifie que le substrat présente des caractéristiques de résistance élevées et peut être quelque peu isolé du flux de courant.

De telles tranches de substrat présentent les caractéristiques suivantes : conductivité thermique élevée, faible perte de conduction, excellente résistance aux températures élevées et excellente stabilité mécanique et chimique. Étant donné que le carbure de silicium présente un large écart énergétique et peut résister à des températures élevées et à des conditions de champ électrique élevées, les plaquettes semi-isolées 4H-SiC sont largement utilisées dans l'électronique de puissance et les dispositifs à radiofréquence (RF).

Les principales applications des plaquettes semi-isolées 4H-SiC comprennent :

1--Électronique de puissance : les plaquettes 4H-SiC peuvent être utilisées pour fabriquer des dispositifs de commutation de puissance tels que des MOSFET (transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique), des IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) et des diodes Schottky. Ces dispositifs présentent des pertes de conduction et de commutation inférieures dans des environnements à haute tension et à haute température et offrent une efficacité et une fiabilité plus élevées.

2--Dispositifs à radiofréquence (RF) : les plaquettes semi-isolées 4H-SiC peuvent être utilisées pour fabriquer des amplificateurs de puissance RF haute puissance et haute fréquence, des résistances à puce, des filtres et d'autres appareils. Le carbure de silicium présente de meilleures performances à haute fréquence et une meilleure stabilité thermique en raison de son taux de dérive de saturation électronique plus élevé et de sa conductivité thermique plus élevée.

3--Dispositifs optoélectroniques : les plaquettes semi-isolées 4H-SiC peuvent être utilisées pour fabriquer des diodes laser haute puissance, des détecteurs de lumière UV et des circuits intégrés optoélectroniques.

En termes d'orientation du marché, la demande de plaquettes semi-isolées 4H-SiC augmente avec les domaines croissants de l'électronique de puissance, de la RF et de l'optoélectronique. Cela est dû au fait que le carbure de silicium a un large éventail d’applications, notamment l’efficacité énergétique, les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les communications. À l’avenir, le marché des plaquettes semi-isolées 4H-SiC reste très prometteur et devrait remplacer les matériaux de silicium conventionnels dans diverses applications.