Plaquettes SiC semi-insultantes de 4 pouces, substrat HPSI SiC, qualité de production supérieure

Brève description :

La plaque de polissage double face en carbure de silicium semi-isolée de haute pureté de 4 pouces est principalement utilisée dans la communication 5G et dans d'autres domaines, avec les avantages d'améliorer la gamme de fréquences radio, de reconnaissance ultra-longue distance, d'anti-interférence, de vitesse élevée. , la transmission d'informations de grande capacité et d'autres applications, et est considéré comme le substrat idéal pour la fabrication de dispositifs électriques à micro-ondes.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Spécification du produit

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur composé composé des éléments carbone et silicium, et constitue l'un des matériaux idéaux pour fabriquer des dispositifs à haute température, haute fréquence, haute puissance et haute tension. Par rapport au matériau silicium (Si) traditionnel, la largeur de bande interdite du carbure de silicium est trois fois supérieure à celle du silicium ; la conductivité thermique est 4 à 5 fois supérieure à celle du silicium ; la tension de claquage est 8 à 10 fois supérieure à celle du silicium ; et le taux de dérive de saturation des électrons est 2 à 3 fois supérieur à celui du silicium, ce qui répond aux besoins de l'industrie moderne en matière de haute puissance, haute tension et haute fréquence, et il est principalement utilisé pour fabriquer des composants électroniques de fréquence, de haute puissance et électroluminescents, et ses domaines d'application en aval comprennent les réseaux intelligents, les véhicules à énergie nouvelle, l'énergie éolienne photovoltaïque, les communications 5G, etc. Dans le domaine des dispositifs électriques, les diodes en carbure de silicium et les MOSFET ont commencé à être commercialement appliquée.

Avantages des plaquettes SiC/substrat SiC

Résistance aux hautes températures. La largeur de bande interdite du carbure de silicium est 2 à 3 fois celle du silicium, de sorte que les électrons sont moins susceptibles de sauter à des températures élevées et peuvent résister à des températures de fonctionnement plus élevées, et la conductivité thermique du carbure de silicium est 4 à 5 fois celle du silicium, ce qui rend il est plus facile de dissiper la chaleur de l'appareil et permet une température de fonctionnement limite plus élevée. Les caractéristiques à haute température peuvent augmenter considérablement la densité de puissance, tout en réduisant les exigences en matière de système de dissipation thermique, rendant le terminal plus léger et miniaturisé.

Résistance haute tension. L'intensité du champ de claquage du carbure de silicium est 10 fois supérieure à celle du silicium, ce qui lui permet de résister à des tensions plus élevées, ce qui le rend plus adapté aux appareils à haute tension.

Résistance haute fréquence. Le carbure de silicium a deux fois le taux de dérive des électrons de saturation du silicium, ce qui fait que ses dispositifs dans le processus d'arrêt n'existent pas dans le phénomène de traînée de courant, peut améliorer efficacement la fréquence de commutation du dispositif, pour réaliser la miniaturisation du dispositif.

Faible perte d'énergie. Le carbure de silicium a une très faible résistance à l'état passant par rapport aux matériaux en silicium, une faible perte de conduction ; dans le même temps, la bande passante élevée du carbure de silicium réduit considérablement le courant de fuite et la perte de puissance ; en outre, les dispositifs en carbure de silicium dans le processus d'arrêt n'existent pas dans le phénomène de traînée de courant, faible perte de commutation.