Plaquettes SiC semi-isolantes de 4 pouces Substrat SiC HPSI Qualité de production supérieure
Spécifications du produit
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur composé de carbone et de silicium. Il est idéal pour la fabrication de dispositifs haute température, haute fréquence, haute puissance et haute tension. Comparé au silicium traditionnel (Si), sa bande passante interdite est trois fois supérieure à celle du silicium ; sa conductivité thermique est 4 à 5 fois supérieure ; sa tension de claquage est 8 à 10 fois supérieure ; et son taux de dérive de saturation électronique est 2 à 3 fois supérieur à celui du silicium. Ce matériau répond aux besoins de l'industrie moderne en haute puissance, haute tension et haute fréquence. Il est principalement utilisé pour la fabrication de composants électroniques haute vitesse, haute fréquence, haute puissance et électroluminescents. Ses domaines d'application en aval incluent les réseaux intelligents, les véhicules à énergies nouvelles, l'énergie éolienne photovoltaïque, les communications 5G, etc. Dans le domaine des dispositifs de puissance, les diodes en carbure de silicium et les MOSFET ont commencé à être utilisés commercialement.
Avantages des plaquettes de SiC/substrats de SiC
Résistance aux hautes températures. La bande passante interdite du carbure de silicium est 2 à 3 fois supérieure à celle du silicium, ce qui réduit le risque de saut d'électrons à haute température et permet de supporter des températures de fonctionnement plus élevées. De plus, la conductivité thermique du carbure de silicium est 4 à 5 fois supérieure à celle du silicium, ce qui facilite la dissipation de la chaleur du dispositif et autorise une température limite de fonctionnement plus élevée. Les caractéristiques haute température permettent d'augmenter considérablement la densité de puissance, tout en réduisant les exigences du système de dissipation thermique, ce qui rend le terminal plus léger et miniaturisé.
Résistance aux hautes tensions. La résistance au claquage du carbure de silicium est dix fois supérieure à celle du silicium, ce qui lui permet de supporter des tensions plus élevées et le rend plus adapté aux dispositifs haute tension.
Résistance haute fréquence. Le carbure de silicium présente un taux de dérive des électrons à saturation deux fois supérieur à celui du silicium, ce qui permet d'éviter le phénomène de traînée de courant lors de l'arrêt des dispositifs, d'améliorer efficacement la fréquence de commutation et de miniaturiser les dispositifs.
Faibles pertes d'énergie. Comparé aux matériaux en silicium, le carbure de silicium présente une très faible résistance à l'état passant et de faibles pertes de conduction. Parallèlement, sa large bande passante réduit considérablement le courant de fuite et les pertes de puissance. De plus, les dispositifs en carbure de silicium ne présentent pas de phénomène de traînée de courant lors de l'arrêt, ce qui réduit les pertes de commutation.
Diagramme détaillé
