Plaquettes de SiC semi-isolantes de 4 pouces, substrat SiC HPSI de qualité supérieure pour la production
Spécifications du produit
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur composé de carbone et de silicium. C'est un matériau idéal pour la fabrication de dispositifs haute température, haute fréquence, haute puissance et haute tension. Comparé au silicium traditionnel (Si), le carbure de silicium présente une bande interdite trois fois plus large, une conductivité thermique 4 à 5 fois supérieure, une tension de claquage 8 à 10 fois plus élevée et une vitesse de saturation des électrons 2 à 3 fois supérieure. Il répond ainsi aux exigences de l'industrie moderne en matière de puissance, de tension et de fréquence élevées. Principalement utilisé pour la fabrication de composants électroniques haute vitesse, haute fréquence, haute puissance et d'émetteurs de lumière, il trouve des applications dans les réseaux intelligents, les véhicules à énergies nouvelles, l'énergie photovoltaïque et éolienne, et les communications 5G. Dans le domaine des dispositifs de puissance, les diodes et les transistors MOSFET en carbure de silicium sont déjà commercialisés.
Avantages des plaquettes de SiC/substrat SiC
Résistance aux hautes températures. La bande interdite du carbure de silicium est 2 à 3 fois supérieure à celle du silicium. Par conséquent, les électrons sont moins susceptibles de se propager à haute température, ce qui permet de supporter des températures de fonctionnement plus élevées. De plus, la conductivité thermique du carbure de silicium est 4 à 5 fois supérieure à celle du silicium, facilitant ainsi la dissipation de la chaleur et autorisant une température limite de fonctionnement plus élevée. Ces caractéristiques à haute température permettent d'accroître significativement la densité de puissance tout en réduisant les exigences relatives au système de dissipation thermique, ce qui rend le terminal plus léger et plus miniaturisé.
Résistance aux hautes tensions. La rigidité diélectrique du carbure de silicium est 10 fois supérieure à celle du silicium, ce qui lui permet de supporter des tensions plus élevées et le rend plus adapté aux dispositifs haute tension.
Résistance aux hautes fréquences. Le carbure de silicium possède un taux de dérive électronique de saturation deux fois supérieur à celui du silicium, ce qui permet d'éviter le phénomène de traînée de courant lors de la mise hors tension des dispositifs et d'améliorer ainsi efficacement la fréquence de commutation, permettant une miniaturisation accrue.
Faibles pertes d'énergie. Le carbure de silicium présente une résistance à l'état passant très faible comparée aux matériaux en silicium, ce qui réduit les pertes par conduction. Parallèlement, sa large bande passante diminue considérablement le courant de fuite et les pertes de puissance. De plus, les dispositifs en carbure de silicium ne présentent pas de phénomène de traînée de courant lors de la mise hors tension, ce qui réduit les pertes par commutation.
Diagramme détaillé
