Substrats SiC de 3 pouces de diamètre et 76,2 mm, qualité HPSI Prime Research et Dummy

Substrat conducteur : désigne la résistivité d'un substrat en carbure de silicium de 15 à 30 mΩ-cm. La plaquette épitaxiale de carbure de silicium obtenue à partir de ce substrat conducteur peut être transformée en dispositifs de puissance, largement utilisés dans les véhicules à énergies nouvelles, le photovoltaïque, les réseaux intelligents et le transport ferroviaire.

Le substrat semi-isolant fait référence à la résistivité supérieure à 100 000 Ω-cm du substrat en carbure de silicium, principalement utilisé dans la fabrication de dispositifs radiofréquence micro-ondes en nitrure de gallium, est la base du domaine de la communication sans fil.

C'est un composant de base dans le domaine de la communication sans fil.

Les substrats conducteurs et semi-isolants en carbure de silicium sont utilisés dans une large gamme d'appareils électroniques et d'appareils de puissance, y compris, mais sans s'y limiter, les suivants :

Dispositifs semi-conducteurs de haute puissance (conducteurs) : les substrats en carbure de silicium ont une résistance au champ de claquage et une conductivité thermique élevées et conviennent à la production de transistors et de diodes de haute puissance et d'autres dispositifs.

Dispositifs électroniques RF (semi-isolés) : les substrats en carbure de silicium ont une vitesse de commutation et une tolérance de puissance élevées, adaptés aux applications telles que les amplificateurs de puissance RF, les dispositifs à micro-ondes et les commutateurs haute fréquence.

Dispositifs optoélectroniques (semi-isolés) : Les substrats en carbure de silicium présentent une large bande interdite énergétique et une stabilité thermique élevée, adaptés à la fabrication de photodiodes, de cellules solaires et de diodes laser et d'autres dispositifs.

Capteurs de température (conducteurs) : les substrats en carbure de silicium ont une conductivité thermique et une stabilité thermique élevées, adaptés à la production de capteurs haute température et d'instruments de mesure de température.

Le processus de production et l'application des substrats conducteurs et semi-isolants en carbure de silicium offrent un large éventail de domaines et de potentiels, offrant de nouvelles possibilités pour le développement de dispositifs électroniques et de dispositifs de puissance.