Substrat SiC 3 pouces, épaisseur 350 µm, type HPSI, qualité supérieure, qualité factice
Propriétés
| Paramètre | Qualité de production | Niveau de recherche | Niveau factice | Unité |
| Grade | Qualité de production | Niveau de recherche | Niveau factice | |
| Diamètre | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Épaisseur | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
| Orientation de la plaquette | Sur l'axe : <0001> ± 0,5° | Sur l'axe : <0001> ± 2,0° | Sur l'axe : <0001> ± 2,0° | degré |
| Densité de micropipes (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Résistivité électrique | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Dopant | Non dopé | Non dopé | Non dopé | |
| Orientation à plat primaire | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | degré |
| Longueur à plat primaire | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
| Longueur secondaire à plat | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
| Orientation secondaire à plat | 90° CW par rapport au plan primaire ± 5,0° | 90° CW par rapport au plan primaire ± 5,0° | 90° CW par rapport au plan primaire ± 5,0° | degré |
| Exclusion des bords | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Arc/Déformation | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | µm |
| Rugosité de surface | Face Si : CMP, face C : polie | Face Si : CMP, face C : polie | Face Si : CMP, face C : polie | |
| Fissures (Lumière à haute intensité) | Aucun | Aucun | Aucun | |
| Plaques hexagonales (lumière haute intensité) | Aucun | Aucun | Surface cumulée 10% | % |
| Zones polytypes (lumière à haute intensité) | Surface cumulée 5% | Surface cumulée 20% | Surface cumulée 30% | % |
| Rayures (lumière à haute intensité) | ≤ 5 rayures, longueur cumulée ≤ 150 | ≤ 10 rayures, longueur cumulée ≤ 200 | ≤ 10 rayures, longueur cumulée ≤ 200 | mm |
| Écaillage des bords | Aucune ≥ 0,5 mm de largeur/profondeur | 2 autorisés ≤ 1 mm largeur/profondeur | 5 autorisés ≤ 5 mm largeur/profondeur | mm |
| Contamination de surface | Aucun | Aucun | Aucun |
Applications
1. Électronique de puissance
La conductivité thermique supérieure et la large bande interdite des plaquettes de SiC les rendent idéales pour les dispositifs haute puissance et haute fréquence :
●MOSFET et IGBT pour la conversion de puissance.
● Systèmes d'alimentation avancés pour véhicules électriques, y compris les onduleurs et les chargeurs.
● Infrastructures de réseaux intelligents et systèmes d'énergies renouvelables.
2. Systèmes RF et micro-ondes
Les substrats en SiC permettent des applications RF et micro-ondes à haute fréquence avec une perte de signal minimale :
●Télécommunications et systèmes satellitaires.
● Systèmes radar aérospatiaux.
●Composants avancés du réseau 5G.
3. Optoélectronique et capteurs
Les propriétés uniques du SiC permettent une variété d'applications optoélectroniques :
●Détecteurs UV pour la surveillance environnementale et la détection industrielle.
● Substrats LED et laser pour l'éclairage à semi-conducteurs et les instruments de précision.
●Capteurs haute température pour les industries aérospatiale et automobile.
4. Recherche et développement
La diversité des niveaux (Production, Recherche, Fantôme) permet une expérimentation de pointe et le prototypage de dispositifs dans le milieu universitaire et industriel.
Avantages
●Fiabilité :Excellente résistivité et stabilité sur toute la gamme de teneurs.
●Personnalisation :Orientations et épaisseurs sur mesure pour répondre à différents besoins.
● Haute pureté :La composition non dopée garantit des variations minimales liées aux impuretés.
●Évolutivité :Répond aux exigences de la production de masse et de la recherche expérimentale.
Les plaquettes de silicium SiC de haute pureté de 3 pouces vous ouvrent la voie à des dispositifs haute performance et à des avancées technologiques innovantes. Pour toute question ou pour obtenir les spécifications détaillées, contactez-nous dès aujourd'hui.
Résumé
Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) haute pureté de 3 pouces, disponibles en qualités Production, Recherche et Test, sont des substrats haut de gamme conçus pour l'électronique de puissance, les systèmes RF/micro-ondes, l'optoélectronique et la R&D avancée. Ces plaquettes non dopées et semi-isolantes présentent une excellente résistivité (≥ 10¹⁰ Ω·cm pour la qualité Production), une faible densité de microcanaux (≤ 1 cm⁻²⁻²) et une qualité de surface exceptionnelle. Elles sont optimisées pour les applications hautes performances, notamment la conversion de puissance, les télécommunications, la détection UV et les technologies LED. Grâce à leurs orientations personnalisables, leur conductivité thermique supérieure et leurs propriétés mécaniques robustes, ces plaquettes de SiC permettent une fabrication de dispositifs efficace et fiable, ainsi que des innovations majeures dans de nombreux secteurs.
Diagramme détaillé
