Substrat SiC 3 pouces 350 µm d'épaisseur type HPSI Prime Grade Dummy grade
Propriétés
| Paramètre | Qualité de production | Niveau recherche | Note fictive | Unité |
| Grade | Qualité de production | Niveau recherche | Note fictive | |
| Diamètre | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Épaisseur | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
| Orientation des plaquettes | Sur l'axe : <0001> ± 0,5° | Sur l'axe : <0001> ± 2,0° | Sur l'axe : <0001> ± 2,0° | degré |
| Densité des micropipes (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Résistivité électrique | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Dopant | Non dopé | Non dopé | Non dopé | |
| Orientation principale à plat | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | degré |
| Longueur plate principale | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
| Longueur plate secondaire | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
| Orientation secondaire à plat | 90° CW à partir du plat primaire ± 5,0° | 90° CW à partir du plat primaire ± 5,0° | 90° CW à partir du plat primaire ± 5,0° | degré |
| Exclusion des bords | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Arc/Déformation | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | µm |
| Rugosité de surface | Face Si : CMP, face C : polie | Face Si : CMP, face C : polie | Face Si : CMP, face C : polie | |
| Fissures (lumière à haute intensité) | Aucun | Aucun | Aucun | |
| Plaques hexagonales (lumière haute intensité) | Aucun | Aucun | Superficie cumulée 10% | % |
| Zones polytypiques (lumière à haute intensité) | Surface cumulée 5% | Superficie cumulée 20% | Superficie cumulée 30% | % |
| Rayures (lumière à haute intensité) | ≤ 5 rayures, longueur cumulée ≤ 150 | ≤ 10 rayures, longueur cumulée ≤ 200 | ≤ 10 rayures, longueur cumulée ≤ 200 | mm |
| Écaillage des bords | Aucun ≥ 0,5 mm de largeur/profondeur | 2 autorisés ≤ 1 mm de largeur/profondeur | 5 autorisés ≤ 5 mm de largeur/profondeur | mm |
| Contamination de surface | Aucun | Aucun | Aucun |
Applications
1. Électronique haute puissance
La conductivité thermique supérieure et la large bande interdite des plaquettes de SiC les rendent idéales pour les dispositifs haute puissance et haute fréquence :
●MOSFET et IGBT pour la conversion de puissance.
●Systèmes d’alimentation avancés pour véhicules électriques, y compris onduleurs et chargeurs.
●Infrastructures de réseaux intelligents et systèmes d’énergie renouvelable.
2. Systèmes RF et micro-ondes
Les substrats SiC permettent des applications RF et micro-ondes haute fréquence avec une perte de signal minimale :
●Systèmes de télécommunications et de satellites.
●Systèmes radar aérospatiaux.
●Composants réseau 5G avancés.
3. Optoélectronique et capteurs
Les propriétés uniques du SiC prennent en charge une variété d'applications optoélectroniques :
●Détecteurs UV pour la surveillance environnementale et la détection industrielle.
●Substrats LED et laser pour l'éclairage à semi-conducteurs et les instruments de précision.
●Capteurs haute température pour les industries aérospatiale et automobile.
4. Recherche et développement
La diversité des grades (Production, Recherche, Dummy) permet une expérimentation de pointe et le prototypage d'appareils dans le milieu universitaire et industriel.
Avantages
●Fiabilité :Excellente résistivité et stabilité sur toutes les nuances.
●Personnalisation :Orientations et épaisseurs sur mesure pour répondre à différents besoins.
●Haute pureté :La composition non dopée garantit des variations minimales liées aux impuretés.
●Évolutivité :Répond aux exigences de la production de masse et de la recherche expérimentale.
Les plaquettes de SiC haute pureté de 3 pouces vous offrent un accès à des dispositifs hautes performances et à des avancées technologiques innovantes. Pour toute demande de renseignements et obtenir des spécifications détaillées, contactez-nous dès aujourd'hui.
Résumé
Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) haute pureté de 3 pouces, disponibles en grades Production, Recherche et Dummy, sont des substrats haut de gamme conçus pour l'électronique de puissance, les systèmes RF/micro-ondes, l'optoélectronique et la R&D avancée. Ces plaquettes présentent des propriétés semi-isolantes non dopées, une excellente résistivité (≥ 1E10 Ω·cm pour le grade Production), une faible densité de microtubes (≤ 1 cm−2^-2−2) et une qualité de surface exceptionnelle. Elles sont optimisées pour les applications hautes performances, notamment la conversion de puissance, les télécommunications, la détection UV et les technologies LED. Grâce à leurs orientations personnalisables, leur conductivité thermique supérieure et leurs propriétés mécaniques robustes, ces plaquettes de SiC permettent une fabrication de dispositifs efficace et fiable, ainsi que des innovations révolutionnaires dans tous les secteurs.
Diagramme détaillé
