Substrat SiC 3 pouces, épaisseur 350um, type HPSI, qualité factice de qualité supérieure

Substrat SiC 3 pouces, épaisseur 350um, type HPSI, qualité factice de première qualité

Brève description :

Les tranches de 3 pouces en carbure de silicium (SiC) de haute pureté sont spécialement conçues pour les applications exigeantes en électronique de puissance, en optoélectronique et en recherche avancée. Disponibles en qualités production, recherche et factice, ces plaquettes offrent une résistivité exceptionnelle, une faible densité de défauts et une qualité de surface supérieure. Grâce à leurs propriétés semi-isolantes non dopées, ils constituent la plate-forme idéale pour fabriquer des dispositifs hautes performances fonctionnant dans des conditions thermiques et électriques extrêmes.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Propriétés

Paramètre	Qualité de production	Niveau de recherche	Qualité factice	Unité
Grade	Qualité de production	Niveau de recherche	Qualité factice
Diamètre	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Épaisseur	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Orientation de la plaquette	Dans l'axe : <0001> ± 0,5°	Sur l'axe : <0001> ± 2,0°	Sur l'axe : <0001> ± 2,0°	degré
Densité des microtuyaux (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Résistivité électrique	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopant	Non dopé	Non dopé	Non dopé
Orientation plate principale	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	degré
Longueur à plat primaire	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Longueur plate secondaire	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Orientation plate secondaire	90° CW depuis le plat primaire ± 5,0°	90° CW depuis le plat primaire ± 5,0°	90° CW depuis le plat primaire ± 5,0°	degré
Exclusion de bord	3	3	3	mm
LTV/TTV/Arc/Warp	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5 / 15 / ±40 / 45	µm
Rugosité de la surface	Face Si : CMP, Face C : Polie	Face Si : CMP, Face C : Polie	Face Si : CMP, Face C : Polie
Fissures (lumière de haute intensité)	Aucun	Aucun	Aucun
Plaques hexagonales (lumière haute intensité)	Aucun	Aucun	Superficie cumulée 10%	%
Zones de polytype (lumière de haute intensité)	Superficie cumulée 5%	Superficie cumulée 20%	Superficie cumulée 30%	%
Rayures (lumière de haute intensité)	≤ 5 rayures, longueur cumulée ≤ 150	≤ 10 rayures, longueur cumulée ≤ 200	≤ 10 rayures, longueur cumulée ≤ 200	mm
Écaillage des bords	Aucun ≥ 0,5 mm largeur/profondeur	2 autorisé ≤ 1 mm largeur/profondeur	5 autorisé ≤ 5 mm largeur/profondeur	mm
Contamination des surfaces	Aucun	Aucun	Aucun

Applications

1. Electronique haute puissance
La conductivité thermique supérieure et la large bande interdite des plaquettes SiC les rendent idéales pour les dispositifs haute puissance et haute fréquence :
●MOSFET et IGBT pour la conversion de puissance.
●Systèmes d'alimentation avancés pour véhicules électriques, y compris des onduleurs et des chargeurs.
●Infrastructure de réseau intelligent et systèmes d'énergie renouvelable.
2. Systèmes RF et micro-ondes
Les substrats SiC permettent des applications RF et micro-ondes haute fréquence avec une perte de signal minimale :
●Télécommunications et systèmes satellitaires.
●Systèmes radar aérospatiaux.
●Composants de réseau 5G avancés.
3. Optoélectronique et capteurs
Les propriétés uniques du SiC prennent en charge une variété d'applications optoélectroniques :
●Détecteurs UV pour la surveillance environnementale et la détection industrielle.
●Substrats LED et laser pour éclairage à semi-conducteurs et instruments de précision.
●Capteurs haute température pour les industries aérospatiale et automobile.
4. Recherche et développement
La diversité des niveaux (Production, Recherche, Dummy) permet une expérimentation de pointe et un prototypage d'appareils dans le monde universitaire et industriel.

Avantages

●Fiabilité :Excellente résistivité et stabilité dans toutes les qualités.
●Personnalisation :Orientations et épaisseurs sur mesure pour répondre à différents besoins.
●Haute pureté :La composition non dopée garantit des variations minimales liées aux impuretés.
●Évolutivité :Répond aux exigences de la production de masse et de la recherche expérimentale.
Les plaquettes SiC haute pureté de 3 pouces sont votre passerelle vers des dispositifs hautes performances et des avancées technologiques innovantes. Pour toute demande de renseignements et spécifications détaillées, contactez-nous dès aujourd’hui.

Résumé

Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) de haute pureté de 3 pouces, disponibles en qualités production, recherche et factice, sont des substrats haut de gamme conçus pour l'électronique haute puissance, les systèmes RF/micro-ondes, l'optoélectronique et la R&D avancée. Ces plaquettes présentent des propriétés semi-isolantes non dopées avec une excellente résistivité (≥1E10 Ω·cm pour Production Grade), une faible densité de microtubes (≤1 cm−2^-2−2) et une qualité de surface exceptionnelle. Ils sont optimisés pour les applications hautes performances, notamment la conversion de puissance, les télécommunications, la détection UV et les technologies LED. Avec des orientations personnalisables, une conductivité thermique supérieure et des propriétés mécaniques robustes, ces plaquettes SiC permettent une fabrication de dispositifs efficace et fiable et des innovations révolutionnaires dans tous les secteurs.