Substrat
-
Plaquette de saphir de 76,2 mm de diamètre (3 pouces), d'une épaisseur de 0,5 mm, plan C, SSP
-
Substrat de récupération factice de type P/N (100) 1-100 Ω sur plaquette de silicium de 8 pouces
-
Plaquette épitaxiale SiC de 4 pouces pour MOS ou SBD
-
Processeur SSP/DSP sur plaquette de saphir de 12 pouces, plan C
-
Plaquette de silicium FZ de type N de 2 pouces (50,8 mm) SSP
-
Lingot de SiC de 2 pouces, diamètre 50,8 mm x épaisseur 10 mm, monocristal 4H-N
-
Boule de saphir de plan C de 200 kg, monocristalline à 99,999 %, méthode KY
-
Plaquette de silicium 4 pouces FZ CZ de type N DSP ou SSP de qualité test
-
Plaquettes de SiC de 4 pouces, substrats SiC semi-isolants 6H, qualité primaire, recherche et test
-
Plaquette de substrat HPSI SiC de 6 pouces, plaquettes de carbure de silicium semi-isolantes en SiC
-
Plaquettes de SiC semi-isolantes de 4 pouces, substrat SiC HPSI de qualité supérieure pour la production
-
Plaquette de substrat 4H-Semi SiC de 3 pouces (76,2 mm) en carbure de silicium, semi-isolante